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型号 IPB072N15N3 G E8187
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3 G E8187 PDF
代理商 IPB072N15N3 G E8187
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 7.2 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5470pF @ 75V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB072N15N3 G E8187-ND
IPB072N15N3GE8187ATMA1
SP000938816
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